漏极(电压控制型半导体器件)
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更新时间:2023-07-07
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漏极电压控制型半导体器件是一种以电压为控制手段的半导体器件,能够实现对器件漏极电流的控制。这种器件在电子学领域广泛应用,尤其是场效应晶体管(FET)的应用非常广泛。 漏极电压控制型半导体器件的漏极、栅极、源极和漏极等四个极分别是器件内部结构中的重要组成部分,它们在器件的工作过程中起到至关重要的作用。其中,漏极是连接器件负载的电极,通常也是器件的主要输出电极;栅极是控制器件导通的电极,通过施加电压控制器件的导通和截止;源极是连接器件电源的电极,通常也是输入电源的入口;漏极则是连接器件负载的电极,通常也是输出电流的出口。 场效应晶体管(FET)是一种电压控制型半导体器件,它具有高输入阻抗、高开关速度、低功耗、高热稳定性、高可靠性等优点,被广泛应用于各种电子设备中,如计算机、通讯、航空航天、工业控制等领域。 总之,漏极电压控制型半导体器件是一种重要的电子器件,它的应用范围广泛,在各种电子设备中都有着重要的应用。漏极
电压控制型半导体器件
基本信息
外文名 | drain |
夹着一层 | 低掺杂的N区(N区一般做得很薄) |
易于集成 | 没有二次击穿现象 |
晶体管 | 是由两种极性的 载流子 |