余辉效应（入射光引起的半导体发光现象）
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更新时间：2023-05-19
基本信息
| 中文名 | 余辉效应 |
| 外文名 | Afterglow phenomenon |
| 又名 | 荧光效应 |
| 分类依据 | 时间 |
| 性质 | 发光现象 |
| 余辉类种 | 长余辉，短余辉 |
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简介
荧光产生原理
光致发光现象不会再金属中产生。因为金属中，价带中没有充满电子，低能级的电子只会激发到同一价带的高能级。在同一价带内，电子从高能级跃迁回到低能级，所释放的能量太小，产生光子的波太长，远远超过可见光的波长。在某些陶瓷和半导体中，价带和导带之间的禁带宽度不大不小，所以被激发的电子从导带跃过禁带回到价带是释放的光子波长刚好在可见光波段。这样的材料被称为：荧光材料。
余辉现象
如果荧光材料中包含一些微量杂质，且这些杂质的能级位于禁带内，相当于陷阱能级，
从价带被激发的电子进入导带后，又会掉入这些陷阱能级。因为这些被陷阱能级所捕获的激发电子必须首先脱离陷阱能级进入导带后才能跃迁回到价带，所以它们被射入光子激发后，需要延迟一段时间才会发光，出现了所谓的余辉现象。
余辉产生原理
光致发光材料是指发光材料在光(通常是紫外光、红外光和可见光)照射下激发发光。按发光弛豫时间分类，光致发光材料又可分为荧光材料和磷光材料两种。他们分别对应上述的短余辉和长余辉。
光致发光的过程主要有三步：
1、吸收一个光子；2、把激光能转移到荧光中心；3、由荧光中心发射辐射。
