半导体量子阱(半导体量子阱)
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更新时间:2023-05-20
半导体量子阱
基本信息
中文名 | 半导体量子阱 |
外文名 | Semiconductor quantum wells |
制备工艺 | 蒸发、刻蚀、减薄、合金 |
举例 | AlAs和GaAs |
应用 | 半导体量子阱激光器 |
释义 | 两种半导体材料按三明治样式生长 |
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简介
制备技术
制备半导体量子阱激光器工艺包括蒸发、刻蚀、减薄、合金、解理、镀膜、划片、中测、烧结、球焊、老化、装架、封管和质检等。为满足新型激光器的性能要求,上述工艺技术都须精化提高,升级换代,伴随着许多新的工艺技术和设备制造难题。
半导体量子阱激光器
半导体量子阱激光器的模拟要比微电子器件的模拟复杂得多,主要体现在以下几个方面:
一、器件描述
描述系统要首先给出横向和纵向的大致轮廓,对于横向,要给出每一层的参数,如长度、宽度、厚度、位置、掺杂浓度、材料体系及组分,还要指出欧姆接触、肖特基接触、自由边界、有源区位置及光限制位置;对于纵向,要给出端面反射情况,相移位置及大小、光栅参数、耦合系数、腔长及用于传递矩阵分析的纵向剖分情况,纵向描述是完全有别于微电子器件的。
二、非线性耦合方程组自洽求解
量子阱激光器模拟所应用的理论模型,包括泊松方程,电子空穴连续性方程、热传导方程、波动方程、光子速率方程及薛定谔方程,这些方程都是非线性的,通过电势、准费米能级、载流子密度和光子密度耦合在一起。求解起来不但复杂,而且还耗费时间,首先要全部线性化,然后再建立自洽迭代系统,是否收敛与初值关系密切,不合适的初值还会导致溢出错误,中断求解过程。
三、能带工程的引入