正文

生长时可以保持恒温，用控制蒸发量来控制溶液的过饱和度，得到的晶体成分均匀，生长过程稳定，利于掺杂晶体生长。但是排出腐蚀溶剂，蒸发速率难控制，出现局部高过饱和度使晶体交叉生长。已用于制备倍频晶体1.iTi()2和压电晶体Li,SH2。