光路图

通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光，其光路图如下：

光致发光光谱

光致发光特点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；

分辨率高，可做薄层和微区分析；

通常只能做定性分析，而不作定量分析；

如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；

不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心；

光谱应用

在激发光能量不是非常大的情况下，PL测试是一种无损的测试方法，可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。

1、组分测定；对三元系或四元系合金，如InxGa1-xN等，通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度，进而确定材料组分x；

2、杂质识别；通过光谱中的特征谱线位置，可以识别材料中的杂质元素；

3、杂质浓度测定；

4、变温Pl可以测试材料/器件的发光效率；

5、半导体材料的少数载流子寿命；

6、位错等缺陷的相关作用研究。