锑化铟(制作红外探测器的重要材料)
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更新时间:2022-11-04
锑化铟
制作红外探测器的重要材料
锑化铟是制作波长为3~5μm的红外探测器的重要材料,用于制光伏型或光导型单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。
中文名
锑化铟
外文名
Indium antimonide
英文别名
Indium antimonide blackxtl、antimony、indium(+3) cation、stibanylidyneindium
安全性
S61
危险品标志
Xn,N
密度
5.76g/cm³
EINECS号
215-192-3
CAS编号
1312-41-0
熔点
525℃
分子式
InSb
相对分子质量
236.578
用途
重要半导体材料之一,经熔炼提纯的单晶可制成具有特殊性能的红外探测器件等
制备方法
锑和铟的化合物,金属锑和铟在高温熔合而得,具闪锌矿型结构的晶体。
衍生物
锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)
共价键结合,有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构,晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体,室温禁带宽度0.18eV,本征载流子浓度1.1×1022/m3,本征电阻率6×10-4Ω·m,较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。