锑化物(由一种或几种金属与锑组成的矿物)
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更新时间:2023-05-23
锑化物
由一种或几种金属与锑组成的矿物
基本信息
中文名 | 锑化物 |
外文名 | antimonide |
物质状态 | 固态 |
用途 | 光电探测器、热光伏电池、激光器 |
所属学科 | 冶金工程 |
定义 | 由一种或几种金属与锑组成的矿物 |
特点 | 金属光泽,不透明 |
常见锑化物 | 锑银矿和锑钯矿 |
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锑化物矿藏
锑化物
基本性质
锑化物材料主要是指以Ga、Al等III族元素与Sb、As等V族元素化合组成含锑的二元、三元、四元系材料,如 GaSb、InSb、AlGaSb、InAsSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等,它们的晶格常数一般都在0.61nm左右。在与GaSb等常用衬底材料的晶格几乎匹配的条件下,其禁带宽度可在较宽的范围内调节,能够较好的实现晶格或应变匹配,非常有利于生长高质量材料,对应的波长可覆盖0.78μm(近红外)到12μm(远红外)的光谱区域,其中,2-5μm中红外波段是空气中重要的大气窗口,2-5μm中红外波段激光在空气中散射相对较低,包含许多重要分子特征谱线。其光电器件可广泛应用于环境监测、化学物品探测、生物医学、卫星遥感、激光雷达、目标指示等领域中。
锑化物的应用
光电探测器
锑化物如LiSb,NaSb,KSb,RbSb等可应用于光电探测领域,其中以CsSb阴极的灵敏度最高,是最有实用价值的光电转换材料,广泛应用于紫外和可见光区的光电探测器中。CsSb阴极的热电子发射和疲劳特性都优于银氧铯阴极。而且制造工艺简单。
激光器
19世纪70年代以来,科学家们就意识到锑化物半导体激光器的应用前景及重要性。1978年,L. M. Dolginov等人制备了InGaAsSb/GaSb异质结半导体激光器,发光波长为1.9μm左右。1985年,Bochkarev成功制备了世界上第一台Ga Sb基半导体激光器。同年,Caneau等人研制了InGaAsSb/AlGaAsSb双异质结半导体激光器,激射波长在 2.2μm左右。1990年,S. J. Eglash等人利用MBE制作了2.29μm GaSb 基无应变半导体激光器,发现锑化物材料生长和器件制作难度很大。直到1992年,Choi等人提出Ga Sb基应变量子阱激光器结构,锑化物的禁带宽度比砷化镓的小,与砷化镓相比,它在中红外应用方面有其独特的优势。并且锑化物和砷化物组成的微结构材料能带排列包含了跨立式的Ⅰ型、错开式的Ⅱ型和反转型的Ⅱ型,这些导致的能带排列为凝聚态低维量子物理基础研究、创造新材料、新器件、新概念提供了广阔的天地,并研制出输出功率高达190mW的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱半导体激光器,实现了器件大功率输出。1998年,Newell等人经过不断的探索,采用宽波导结构有效降低了 2μm GaSb基半导体激光器的内部损耗,提高了量子效率。1999年,D.Z.Garbuzov等人制备了GaSb基 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱半导体激光器,实现了室温连续激射,激射波长在2.3-2.7μm之间。2002年,C. Mermeistei等人制备了宽接触激光器,发光波长在2μm左右,室温下最大输出功率可达1.7W。
锑化物毒作用
锑化物对人体的毒作用主要再现为锑性皮炎、锑尘肺、肝脏及心肌损害,主要可分为急性中毒和慢性中毒两类.
1、急性中毒:主要由于吸入锑及其化合物的蒸气和粉尘而引起。接触者出现眼结膜和呼吸道刺激症状,发生支气管炎,较重者出现胸痛、呼吸困难。吸入三氯化锑遇水分解的气体,可引起肺水肿,主要由于产生的氯化氢所致,而同时吸收的锑离子,可致全身毒作用。熔炼锑时,吸入锑蒸气氧化成的氧化锑可引起铸造热。急性锑化氢中毒和胂化氢中毒相似,可发生溶血及体温降低,吸入高浓度可迅速致死。三氯化锑可引起皮肤灼伤,曾有经灼伤面吸收而引起中毒性肝炎。口服中毒有胃肠道症状,肝脏、肾脏和心脏都可受损。出现流涎、口内金属味、食欲减退、恶心、呕吐、腹痛、便血,肝脏可肿大、压痛。严重者有尿闭、血尿和心律紊乱等。
2、慢性中毒:影响长期接触锑化合物粉尘或烟尘的工人可出现头痛、兴奋、失眠、晕眩、肢体酸痛、贫血、消瘦等全身症状。由于长期慢性刺激发生鼻炎、鼻粘膜溃疡甚至穿孔,气管炎或肺炎,口腔炎症,消化功能障碍,偶见血便。长期吸入锑尘可致锑尘肺,但对劳动能力无严重影响;即使同时出现锑中毒症状,调离后,亦易缓解。长期接触高浓度Sb2S3,可出现心血管损害。治疗:锑及其化合物所致损害的预防原则与其他金属同。一般职业性锑中毒不严重,脱离接触并进行对症处理即可痊愈。由于注射而引起的锑中毒,用二巯基丁二酸钠排锑有效。
锑化物
参考资料
[1]
中华人民共和国科学技术部 · 科技部2021-09-05[引用日期2021-09-05]